三星海力士要扩产8层HBM4，英伟达供应链要变了

三星、SK Hynix将提高8层堆叠HBM4出货占比，预示Nvidia供应链发生变化（韩联社Zdnet）

三星电子和SK hynix预计将提高其供给Nvidia的第六代高带宽内存（HBM4）出货中8层堆叠产品的占比。

主要驱动因素是Nvidia的采购战略：为解决散热管理问题、提升供应链稳定性，Nvidia正在拓宽HBM选型范围。下一代HBM4E产品也越来越有可能以8层堆叠配置为核心。

根据26日业内消息人士说法，三星电子和SK hynix计划在今年下半年增加向Nvidia供应的8层堆叠HBM4产品。

两家公司此前一直为Nvidia下一代Vera Rubin系列AI加速器供应12层堆叠HBM4产品。HBM是将多个DRAM裸片垂直堆叠而成的内存，12层堆叠产品即包含12个堆叠DRAM裸片。

三星电子预计将在今年第一季度开始大规模量产出货，SK hynix则在第二季度跟进。但近期Nvidia对其HBM供应链的策略开始发生转变。

根据三星电子和SK hynix内部及周边消息源的说法，两家公司计划在今年下半年，逐步提升供给Nvidia的HBM4出货中8层堆叠产品的份额，而非12层堆叠产品。

“近期Nvidia要求供应商将HBM4的主力产品配置从12层堆叠改为8层堆叠”，一位内存半导体行业消息人士表示，“据我所知，下半年的供应计划已经据此修改。”

另一位消息人士称：“市场本来就存在对8层堆叠HBM4的需求，但下半年这款产品的需求有所增加，这也影响到了相关材料和零部件的订单。目前还无法确定最终的产品组合比例，但供给Nvidia的HBM4出货中8层堆叠产品占比提升的趋势会越来越清晰。”

业内认为这一变化背后是多重因素共同作用的结果。从性能角度看，散热问题已经成为担忧点。相比上一代，HBM4将用于数据传输的输入/输出通道数量翻倍至2048个，大幅提升了发热量，不仅在单芯片层面如此，整个服务器机架系统的发热量也会增加。

供应链考量也被认为起到了作用。由于全球科技巨头都在大举投资AI基础设施，目前HBM供应极度紧张。同时，HBM4性能和密度的提升也让高良率更难实现。虽然HBM所用核心DRAM裸片的良率可以相对快速提升，但在堆叠12个裸片、键合以及成品封装环节，良率会大幅下降。

因此人们认为，Nvidia在现有12层堆叠HBM4供应之外，寻求加大8层堆叠产品的采购量，以此为未来的AI加速器提供更丰富的内存容量选项。

“Nvidia在设计最新AI平台时，将散热管理放在最高优先级”，一位半导体行业消息人士表示，“这与其说是降低单芯片规格，不如说是寻找最优的系统级配置，因此不太可能给整体市场需求带来重大变化。”

HBM4的继任产品HBM4E，也越来越有可能以8层堆叠而非12层堆叠配置作为出货主力。HBM4E预计将用于Nvidia下一代Rubin Ultra AI加速器。

“虽然也讨论了12层堆叠和16层堆叠的HBM4E样品，但根据目前和客户的讨论，明年供应的HBM4E产品大概率以8层堆叠为主”，一位内存半导体行业资深消息人士表示，“不过整个行业不确定性仍然很高，因为Rubin Ultra究竟会采用HBM4E还是HBM4的问题仍未解决。”

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