AI厂商对内存的需求,明年还要涨一倍
果然,HBM基带的争夺战已经打响了。无法自研基带的SK Hynix和美光,这么做应该是目前的最优解吧?
【独家】SK海力士将下一代HBM的「基带」委托给Intel生产,从第7代HBM开始探讨活用Intel代工
基带是位于HBM最底层的控制芯片,此举是为构建基带多供应商布局铺路,供应链多元化将扩大客户选择。
据悉目前还在测试Intel的先进封装技术「EMIB」。
SK海力士已启动高带宽内存(HBM,通过将多颗内存垂直堆叠制造)所需「基带(Base Die)」的采购多元化计划。
据了解,此前SK海力士的基带全部委托TSMC生产,目前正在探讨从第7代HBM「HBM4E」开始,也将部分订单委托给Intel的代工厂(半导体受托生产)。
有分析指出,此举意在构建多供应商体系,活用多家代工厂,分散原本集中在TSMC的供应链,同时提升自身价格谈判能力。
据31日业界知情人士透露,SK海力士最快会从HBM4E搭载的基带开始,推进与除TSMC外的Intel合作的方案。
基带是位于HBM最底层,支撑整体结构并执行控制功能的控制芯片,也被称为「逻辑芯片」。它负责承担GPU(图形处理器)、CPU(中央处理器)等外部处理器与HBM之间的数据连接高速接口工作。
直到HBM3E,SK海力士一直通过自有制造工艺生产基带。但随着HBM世代演进,基带搭载的逻辑(运算、控制)功能与性能的重要性不断提升,因此从HBM4开始,SK海力士就已经和TSMC合作生产基带了。
目前SK海力士量产中的HBM4,采用了依托TSMC 12纳米(nm)工艺生产的基带。
问题出在基带的成本负担上。据业界消息,HBM4的TSMC产基带,价格比SK海力士用10纳米级第5代(1b)工艺生产的核心芯片(位于基带上方,直接存储数据的DRAM芯片)高出3-4倍。
如果过渡到HBM4E,基带的成本负担预计还会进一步增加。HBM的长期供应协议(LTA)占比很高,代工厂成本上涨的部分很难立刻直接转嫁到产品价格上。
因此业界认为,如果Intel真的加入基带供应链,SK海力士就能在成本和供应稳定性两方面同时扩大选择空间。
也有观点认为,这项决定包含长期分散集中在TSMC的供应链的战略判断。以HBM4为契机,配合客户企业AI(人工智能)加速器的结构和性能要求调整基带设计的「定制HBM」重要性不断提升,因此SK海力士需要脱离依赖特定客户和代工厂的生态系统,拓展与多样AI半导体厂商合作的选择空间。
目前也有传闻称,今后和Intel的合作可能不止停留在基带生产,还会扩大到先进封装领域。
在美国硅谷举办的高性能半导体与计算机架构会议「Hot Chips」上,SK海力士美国分管封装工程的副总裁李在晢曾提到,SK海力士正在对TSMC的「CoWoS-S」「CoWoS-L」以及Intel的「EMIB」等主流先进封装技术进行比较分析。
SK Group Chairman Chey Tae-won said that customers are seeking 60-100% more AI memory from SK Hynix $SKHY in 2027 compared to 2026. $NVDA $AMD $MU
本文由 AI 翻译自英文原帖,技术名词保留英文。
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