SK海力士考虑引入英特尔代工下一代HBM基础芯片

【独家消息】SK海力士考虑将英特尔作为下一代HBM基础裸片的代工厂供应商

SK海力士正推进高带宽内存（HBM）所用基础裸片的代工厂供应商多元化，HBM是通过垂直堆叠多个存储裸片制成的。

据报道，该公司正考虑将第七代HBM，即HBM4E的部分基础裸片生产外包给Intel Foundry。

到目前为止，SK海力士外包的基础裸片生产完全依赖台积电。此举被认为是为了建立多供应商代工策略，降低供应链对台积电的集中度，同时增强SK海力士在定价上的议价能力。

根据8月31日得到的业内消息，SK海力士正在推进一项计划，HBM4E的基础裸片可由台积电和英特尔共同生产，最早可能从HBM4E世代开始。

基础裸片位于HBM堆叠结构的底部，作为控制芯片发挥作用，支撑并管理整个结构。它也常被称为逻辑裸片，负责连接HBM与GPU、CPU等外部处理器的高速接口。

在HBM3E之前，SK海力士一直使用自有工艺生产基础裸片。不过随着后续HBM世代对基础裸片的逻辑、控制功能和性能要求越来越高，SK海力士从HBM4开始，就已和台积电合作生产基础裸片。

目前SK海力士已经量产的HBM4产品，使用的是台积电12nm级工艺生产的基础裸片。

核心问题在于基础裸片带来的成本负担。据业内消息人士估计，HBM4所用台积电生产的基础裸片，成本是核心裸片的三到四倍；核心裸片是堆叠在基础裸片上方、直接存储数据的DRAM裸片，由SK海力士用其10nm级第五代1b工艺生产。

而HBM4E的基础裸片成本负担预计还会进一步上升。

由于HBM产品大多受长期供应协议（LTA）约束，SK海力士也无法立刻通过提高产品价格，将更高的代工成本转嫁给客户。

因此业内观察人士认为，如果英特尔最终加入SK海力士的基础裸片供应链，SK海力士就能在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。这一举措也被解读为，是对目前集中在台积电的供应链进行多元化的长期战略的一部分。

从HBM4开始，“定制化HBM”变得越来越重要，这类产品的基础裸片设计会根据单个客户AI加速器的架构和性能要求量身定制。对SK海力士来说，这就要求它摆脱集中在特定客户和代工厂的生态系统，拓展与更多AI芯片企业的合作能力。

也有猜测认为，SK海力士与英特尔的合作最终可能会超出基础裸片制造，拓展到先进封装领域。

在硅谷举办的高性能半导体与计算架构大会Hot Chips上，SK hynix America封装工程副总裁Lee Jae-sik表示，该公司正在评估对比各大先进封装技术，包括台积电的CoWoS-S和CoWoS-L，以及英特尔的EMIB。

$INTC