美光计划将HBM产能翻倍，缩小与三星SK海力士差距

美光计划将HBM产能翻倍，缩小与三星和SK海力士的差距

美国存储芯片制造商美光计划将高带宽内存（HBM）的产能从去年提升一倍。通过在年底前进行大规模资本支出，该公司旨在增强最新一代HBM——12层高HBM4的供应能力。

此举旨在通过扩张HBM产能提升市场份额，目前美光的HBM产能落后于三星电子和SK海力士。

据9月3日业内消息人士透露，美光计划在今年年底前新增每月最高6万片晶圆的HBM产能。新增净产能将超过该公司去年每月约4万至5万片晶圆的HBM产能水平。

一位知情业内人士表示：“美光正在对设备进行大量投资，以快速提升HBM4产能。到今年年底，其每月HBM产能将达到约10万片晶圆。”

为实现这次扩张，美光正在增加对多家HBM设备供应商的采购订单（POs）。据悉，其位于中国台湾和新加坡的HBM生产基地目前正在进行设备交付。

HBM4在美光生产结构中的占比预计将大幅提升。目前，美光大部分HBM产量是12层高HBM3E。

就在今年年初，12层高HBM4仅占总产量的20%至30%，但据报道，到今年年底这一占比将达到50%。12层高HBM4将用于全球最大AI芯片公司英伟达的最新AI加速器Vera Rubin。

美光已于今年第二季度开始大规模生产12层高HBM4产品。在6月美光2026财年第三季度财报发布会上，CEO Sanjay Mehrotra表示：“我们提升12层高HBM4产能的速度大约是12层高HBM3E的两倍。”他补充说，“HBM4出货累计收入已经超过10亿美元。”

尽管美光是全球三大HBM制造商之一，但其产能不及三星电子和SK海力士。行业估计显示，这两家韩国公司每家每月HBM产能约为15万至20万片晶圆——是美光水平的三到四倍。

除非美光在产能上赶上它们，否则它将难以摆脱常年第三的位置。如果美光今年实现产能目标，它与三星电子和SK海力士的产能差距将缩小大约一半。

美光扩张HBM产能也突显了AI存储需求的强劲。随着以英伟达为首的AI芯片制造商寻求大量HBM，供需依旧持续紧张。在这种环境下，最大化HBM收益需要拥有供应更多产品的能力——换句话说，就是足够的产能。

美光正在全球范围内投资HBM生产设施。除了在美国的投资外，该公司还在中国台湾铜锣工厂和新加坡兀兰工厂进行HBM封装，并正在日本广岛准备设备投资。

根据Counterpoint Research的数据，今年第二季度SK海力士以50%的份额领先全球HBM市场，其次是三星电子（32%）和美光（18%）。

$MU