SK海力士加速推进第六代10nm级（1c）DRAM量产

SK海力士正在快速提升第六代10纳米级（1c）动态随机存取存储器（DRAM）的产能占比。由于1c DRAM将作为下一代高带宽存储器（HBM4E）的核心裸片，该公司看起来正在加速制程转型。

随着服务器和人工智能领域对高附加值存储器需求增长，SK海力士与三星电子、美光之间向更精细制程节点迁移的竞争也在升温。

据本月7日行业消息来源，SK海力士1c DRAM产能占比从今年第一季度的约10%，升至第二季度的约13%。预计第三季度将达到约24%，第四季度将达到约34%。到明年第一季度，1c制程占比预计攀升至约35%，首次超过1b制程（约33%），成为SK海力士的主流制程。

第五代10纳米级1b DRAM的产能占比在今年第二季度达到峰值约43%后开始下降。随着向1c制程转移全面展开，老一代制程占比正依次缩减。

行业统计显示，截至第二季度末，三星电子1c制程占比约为16%，美光约为19%，略高于SK海力士的13%。不过随着SK海力士在今年下半年加快转型步伐，预计第四季度其占比（约34%）将超过三星电子（约31%）。

在上个月的第二季度财报电话会议上，SK海力士表示基于第六代10纳米级（1c）制程的DRAM已在第二季度开始正式供货。受HBM4（第六代HBM）产能扩张和基于1c制程的通用DRAM出货量增长推动，该公司预计今年下半年产能比特增长率（产量增长率）将超过上半年。

三星电子和SK海力士在HBM领域的领导力竞争也和1c转型进度绑定。三星电子从HBM4阶段就开始采用1c DRAM，宣传其产品拥有约11.7Gbps的顶级运行性能。与之相对，SK海力士选择优先保障大规模生产稳定性的策略，目前使用经过验证的1b DRAM和先进的MR-MUF封装技术，从下一代HBM4E（第七代HBM）开始才首次将1c DRAM用作HBM核心裸片。

包括Counterpoint Research在内的多家主流研究机构预计，今年英伟达、谷歌、AMD等厂商的HBM4整体市场中，SK海力士占比约55%，三星电子约28%，美光约18%。目前的格局是，SK海力士凭借大规模生产稳定性保有产能优势，而三星电子试图通过技术规格优势扩张份额。

分析师认为，SK海力士加快1c转型除了缩小制程节点，还能在成本和生产率方面带来实际收益。由于每片晶圆的比特产出比上一代更高，相同晶圆投入可以生产出更多比特，提升了成本竞争力，这将有助于从下半年开始维持DRAM业务板块的盈利能力。

随着1c转型推进，加上服务器和HBM领域高附加值产品占比提升，分析师认为生产率提升很可能直接转化为利润率改善。

一位半导体行业官员表示：1c转型的进度本身令人鼓舞，但只有实际生产良率和客户认证进度跟上，才有意义。从HBM4E开始，三星电子和SK海力士之间的精细制程竞争会进一步加剧。