中国长鑫宣布年底量产4F²工艺DDR5

三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）在中国宣布新一代DRAM研发成功后股价暴跌。半导体板块个股遭遇剧烈波动，亚洲市场尤为严重。

中国大型芯片制造商宣布成功研发新一代存储技术，引发了市场对未来行业竞争和市场份额的担忧。

* 中国加快研发4F² DRAM：中国大型存储芯片制造商长鑫存储（ChangXin Memory Technologies, CXMT）宣布，计划在今年年底前推出采用先进4F²工艺的服务器DRAM产品（DDR5 RDIMM）。

这项工艺通过缩小单元面积，相比原有设计提升了存储密度，直接对市场龙头三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）构成了挑战。

* 市场影响：这一消息导致三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）股价大幅下跌，分别暴跌超6%和9%。抛售压力还导致韩国Kospi指数跌破6000点，并触发了“卖侧熔断”（sell-side trading curb），这是近两个月来的首次。

* 美国制造商也受到波及：美国存储芯片企业美光（Micron）和闪迪（SanDisk）的股价也因对竞争加剧的担忧而下跌。

尽管三星原本预计要到2028年左右才推出采用4F²工艺的产品，但CXMT公布的雄心勃勃的目标让市场重新调整预期，并重新评估存储芯片市场的竞争风险。

Messenger先生报道